现已提供样品，为AI数据中心、机器东谈主及动力基础阵势利用带来更高功率密度与能效

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安森好意思（onsemi）通知推出全新GaNEXUS™氮化镓（GaN）功率居品组合。该系列专为在东谈主工智能（AI）数据中心、工业自动化、机器东谈主及动力基础阵势等利用中达成更高能效、更高功率密度及更优热性能而想象。首批居品包括袒护40V至650V电压范围的GaNEXUS FET样品，其中包含集成保护功能的650V GaN FET——GaNEXUS Smart器件，可简化系统集成并莳植举座可靠性。

新闻亮点

安森好意思的GaNEXUS居品组合为下一代电源架构带来更快开关速率、更低开关损耗、更高功率密度及更优热性能

袒护40V至650V的GaNEXUS FET及集成保护功能的650V GaN FET——GaNEXUS Smart器件，现已初始提供样品

蚁集安森好意思集成感知、步骤、保护和电源经管功能的Treo平台，GaNEXUS可达成更智能、更可靠、更郑重的系统级电源惩办有筹算

蚁集安森好意思的硅、EliteSiC与GaNEXUS工夫，为客户优化悉数这个词电力传输链的能效、热性能、系统尺寸及总资本提供更大天真性

安森好意思推出GaNEXUS™氮化镓功率居品组合，首批样品包括袒护40V至650V电压范围的GaNEXUS FET，以及650V GaN FET——GaNEXUS Smart器件。该居品组符合用于对电力需求高的利用场景，包括AI数据中心供电、48V系统、机器东谈主与工业自动化，以及动力基础阵势等。

GaNEXUS的加入推广了安森好意思智能电源居品组合的材干，大略为不同利用、电压域和性能条目提供优化的电源惩办有筹算。GaNEXUS、硅和EliteSiC工夫组成了安森好意思平方的电源居品组合，为客户在悉数这个词电力传输架构中优化性能、能效、热性能及系统总资本提供更大天真性。

垂危酷爱

跟着AI基础阵势、电气化、工业自动化及动力系统的快速发展，对更高能效和更紧凑电源架构的需求捏续增长，2026世界杯中国官方app想象东谈主员在能耗、热经管及系统尺寸方面濒临日益严峻的挑战。

与传统硅基有筹算比拟，GaNEXUS通过达成更快开关速率、更低开关损耗、更高功率密度及更优热性能，有用移交上述挑战。这些上风匡助客户大略在AI数据中心供电、电动汽车充电、机器东谈主及工业电源系统等利用想象中，缩小磁性元件及散热系统尺寸，同期莳植举座系统能效与反应速率，并镌汰系统资本。

安森好意思氮化镓行状部副总裁Antoine Jalabert暗示：“咱们的GaNEXUS居品组合正在激动电源系统想象迈向全新架构。跟着客户不断追求在更小空间内达成更大功率，世界杯官方网页版GaNEXUS为工程师提供了更大的天真性，以马虎传统电源架构的末端。”

工夫达成

GaNEXUS旨在优化当代电源系统中的电能调遣与电源经管。将GaNEXUS与安森好意思的Treo平台（集成感知、步骤、保护及电源经管）合营使用时，可提供完满的系统级电源惩办有筹算，达成更智能、更可靠、更郑重的系统阐扬。这种系统级有筹算有助于客户简化悉数这个词电力传输链的想象复杂性，加速缔造与认证速率，镌汰散热与冷却需求，并优化性能。

在包括AI职业器48V中间母线调遣器（IBC）、电板备用单位（BBU）及电机驱动等中低压系统中，GaNEXUS可达成：

磁性元件尺寸缩小约30%–60%

功率密度莳植约1.5–2倍

能效莳植约0.5%–2%（取决于拓扑结构）

镌汰开关损耗，改善热性能与步骤褂讪性

在AI电源机架、高压DC-DC调遣、PFC及LLC功率级等高压利用中，GaNEXUS可达成：

在高频AC-DC与谐振级中，磁性元件尺寸最多可缩减约60%

在PFC、LLC及高压DC-DC架构中，功率密度莳植约1.5–2倍

能效莳植约0.5%–1%，在界限化部署时显贵优化热性能并改善运营资本

更低损耗可放松紧凑型高功率系统中的热应力

GaNEXUS Smart镌汰系统风险，简化功率级想象，从而加速认证速率并莳植可靠性

GaNEXUS器件经受增强散热的封装，具备行业圭臬的引脚布局，支援双源供货，举例TOLL底部散热、TOLT顶部散热，以及3.3mm×3.3mm和5mm×6mm的双面散热封装。

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